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IR推出650V器件以扩充超高速沟道IGBT系列
更新时间:2014-05-25 11:07:00   点击次数:2175次
我司长期代理销售IR产品,有需要请联系0755-82539855深力科电子销售部

      全球功率半导体和管理方案领导厂商 国际整流器公司 (International Rectifier,简称IR) 推出多款坚固可靠的650V IRGP47xx器件,藉以扩充绝缘栅双极晶体管 (IGBT) 系列。新产品旨在为多种快速开关应用作出优化,包括光伏逆变器、焊接设备、工业用电机、感应加热和不间断电源等应用。

 

     全新的IRGP47XX系列IGBT提供从15A到90A的电流范围,并采用沟道纤薄晶圆技术降低导通损耗和开关损耗,以提升系统效率。这些产品可作为分立式器件或与软恢复低Qrr二极管一起封装,能够为8KHz到30KHz的超高速开关作出优化,从而提供高达6µs的短路额定值,以及有助于并联的VCE(ON)正温度系数。新器件具有较高的击穿电压,即便在极端天气和交流线路不稳定的情况下也能提高可靠性,无需电压抑制器件。
      IR亚太区销售副总裁潘大伟表示:“全新650V IRGP47xx系列具有超高速开关频率,以及低导通损耗和开关损耗,
能够为要求坚固可靠、高效且更小占位面积的应用提供具有成本效益的解决方案。”

       IRGP47xx系列适用于广泛的开关频率范围,在100°C下提供仅1.7V 的低VCE(ON)和低总开关损耗,可有效减少功耗。新产品以封装器件供应,其它主要功能包括最高达175°C的工作结温和低电磁干扰,有助于提升可靠性。

规格

分立式 IGBT



与软恢复低Qrr二极管一起封装的IGBT


 

 

深力科电子技术部 (编辑:admin)
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